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一种半导体器件，其在钨膜和多晶硅层之间具有降低的接触电阻和带有具有降低的栅电阻且被预防耗尽的栅电极。根据制造装置半导体器件的方法，一种半导体器件，其在形成栅电极之后且在栅电极上执行侧面选择性氧化之前，通过在氨气体中在７００℃－９５０℃的氮化...该专利属于尔必达存储器株式会社;日立超大规模集成电路系统株式会社;株式会社日立制作所所有，仅供学习研究参考，未经过尔必达存储器株式会社;日立超大规模集成电路系统株式会社;株式会社日立制作所授权不得商用。