下载浅沟渠隔离结构的制造方法的技术资料

文档序号:3208081

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

一种浅沟渠隔离结构的制造方法,此方法提供一基底,并于基底上已依序形成有垫氧化层、罩幕层与第一沟渠,接着于第一沟渠内与基底上形成绝缘层以填满第一沟渠,且在第一沟渠上方的绝缘层具有第二沟渠。然后,于绝缘层上形成共形的帽盖层,且在第二沟渠上方的帽...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。