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本发明提供一种改善光阻平坦度的方法与沟槽电容的下电极的制造方法。在去除沟槽内部的上半部光阻（保护光阻）后，新增一道全面性重新填满另一光阻（回填光阻）的程序，以填满去除后的保护光阻上表面与基底上表面之间的距离，该距离是由于光阻与基底表面附着性...
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