温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种具有过电压保护的沟槽ＤＯＭＳ晶体管，其包括第一导电类型的衬底和在衬底上形成的第二导电类型的主体区域（１１６）。至少一个沟槽（１２４），其延伸通过主体区域和衬底。绝缘层和沟槽在一条直线上，并且叠加在主体区域上。该传导电极在沟槽里沉积，使得...
该专利属于通用半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过通用半导体公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。