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本发明可获得能避免栅极电极所连接的接触插塞和源极.漏极区短路的半导体装置。用光刻胶８覆盖而未刻蚀的部分的多晶硅膜７，形成平板型的多晶硅膜１０。多晶硅膜１０在元件分离绝缘膜２的第１部分上形成。另外，多晶硅膜１０与多晶硅膜９连接。接触插塞２４在...
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