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本发明可提高沟渠形成用抗蚀图案的尺寸控制性。在覆盖Ｃｕ配线１的层间绝缘膜２内，形成与Ｃｕ配线１连接的通孔３。通过电解在通孔３内填充导电性高分子４。在层间绝缘膜２上通过照片制版形成抗蚀图案５，通过以抗蚀图案５为掩模的蚀刻，形成与通孔３连接的沟...
该专利属于株式会社瑞萨科技所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社瑞萨科技授权不得商用。

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