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通过设置具有端的小片布置于基片表面上以便在小片和基片形成腔并在端和基片之间形成接触部来制造芯片引线框架。将化合物设置到所述表面，从而该化合物进入腔并在上基片表面上形成一层。该层可以向组件提供足够的刚性，其中可以蚀刻基片来制造引线框架。还揭示...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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