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本发明提供一种高介电常数氧化物膜的制造法、含该膜的电容器及制造法。制造高ｋ介电氧化物膜的步骤是：（ａ）将半导体衬底装载到ＡＬＤ装置中；（ｂ）在半导体衬底上沉积具有第一元素和第二元素的预定成分比的反应材料；和（ｃ）通过氧化反应材料使得第一元素...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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