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本发明提供具备ＳＯＩ区具有对邻接的非ＳＯＩ区（体区）的充分的吸杂能力，而且，体区（元件可形成区）未变窄的优质的部分ＳＯＩ结构的半导体衬底。其解决方案是将半导体衬底１１所具备的第１单晶硅层（３）的一个主面被覆起来地设置作为绝缘层的ＳｉＯ↓［２...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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