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一种于间距缩小工艺中整合存储单元数组区与周边电路区的方法，此方法于间距缩小工艺中的第二次形成高分子层的步骤之前，形成罩幕层以覆盖基底并暴露出存储单元数组区，并且，此罩幕层重叠覆盖于存储单元数组区的边缘区域上，使得此存储单元数组区被罩幕层覆盖...
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