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自对准接触的侧壁间隔片结构及其形成方法技术
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文档序号:3207218
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在一个实施方案中,形成覆盖在半导体基片上的相邻的导电图形。所述导电图形各有导线和封盖层。在相邻的线图形之间形成第一间隔片形成层。在封盖层的顶表面与导线的底表面之间形成所述第一间隔片形成层。在导电图形上共形地形成的第二间隔片形成层。在共形的第...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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