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一种非挥发性存储单元阵列的操作方法，适用于操作ＮＡＮＤ型存储单元阵列，其中各个存储单元具有电荷陷入层。在进行此非挥发性存储单元阵列的操作时，利用Ｆ－Ｎ穿隧效应进行整个存储单元阵列的抹除，并利用热电洞注入效应进行单一存储单元单一位的编码。由于...
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