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本发明揭示一种具有多方位的绝缘层上覆硅芯片。在单一绝缘层上覆硅芯片上形成有多种不同方位的孤立硅层，并且将Ｐ型晶体管设置于表面方位为（１１０）的孤立硅层上方，将Ｎ型晶体管设置于表面方位为（１００）的孤立硅层上方。如此一来，Ｐ型晶体管会具有良好...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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