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本发明提供一种绝缘栅型半导体器件，其最主要特征在于在功率ＭＯＳＦＥＴ中，可以高速并且抑制开关噪声。例如，在与ｐ基极层（１２ａ）和ｎ↑［＋］源极层（１３ａ）分别相邻的ｎ↑［－］漂移层（１１）的表面部分上，成方格状地形成沟槽型结构的栅极电极（２...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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