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一种防止深渠沟的顶部尺寸扩大的领型介电层制程，是于先进行一离子布植制程，于一深渠沟顶部开口周围的半导体硅基底的表面区域形成一离子布植区，再去除深渠沟电容器以外的氮化硅层，而后再于该离子布植区以外的该深渠沟的暴露侧壁上长成一第一氧化层。该离子...
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