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提供一种导通电阻低、具有高速开关特性的半导体器件。该半导体器件由如下部件构成：ｎ－型外延层１２；形成于ｎ－型外延层１２上的ｐ型基极区域１３；形成于ｐ型基极区域１３上的ｎ＋型源极区域１４；沟道１５，从ｎ＋型源极区域１４的表面横穿该ｎ＋型源极区...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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