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一种半导体存储器件包括多个存储单元（ＭＣ），多个局部位线（ＬＢＬ），全局位线（ＷＧＢＬ，ＲＧＢＬ），第一开关元件（ＳＥＬ），和保持电路（６０）。存储单元（ＭＣ）包括第一（ＭＴ）和第二ＭＯＳ晶体管（ＳＴ）。第一ＭＯＳ晶体管（ＭＴ）具有电荷积聚...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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