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一种浅沟渠隔离的平坦化方法，至少包含下列步骤：提供一基材；依序在该基材上形成垫氧化层及掩膜层；在该垫氧化层及该掩膜层中形成开口，并且暴露出该基材；蚀刻暴露的该基材，以在该基材中形成沟渠；在该基材的该沟渠中形成介电层，且所述介电层高于该掩膜层...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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