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本发明提供可有效抑制逆狭沟道效应的ＳＴＩ构造的半导体装置及其制造方法。在硅基板１的上层部形成的沟槽１０淀积形成分离绝缘膜２，由分离绝缘膜２将硅基板１的上层部规定为ＭＯＳＦＥＴ形成区域。沿硅基板１中沟槽１０的侧壁形成薄的ＳｉＧｅ层４，在该Ｓｉ...
该专利属于株式会社瑞萨科技所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社瑞萨科技授权不得商用。

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