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本发明揭示一种瓶型沟槽的制造方法。首先，在一基底的沟槽下半部填入一导电层，且其被一具掺杂层所包围。接着，在基底上及沟槽上半部顺应性形成一氮化硅层。之后，对基底实施一热处理以在邻近具掺杂层的基底中形成一掺杂区。接着，非等向性蚀刻氮化硅层以在沟...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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