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此半导体二极管是二极管构造的垂直金属氧化物半导体场效应器件，它用半导体底座（３０４）形成，并具有一个二极管端子（３２４）作为垂直金属氧化物半导体场效应器件的栅（３１８）与漏（３１２）之间的公共连接以及一个二极管端子（３３０）作为对垂直金属氧...
该专利属于弗拉姆技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过弗拉姆技术公司授权不得商用。

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