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一种位元线接触的充填方法，包括下列步骤：　　　　提供一半导体基底，该半导体基底具有一晶胞区及一外围线路接触区，且该晶胞区形成有一晶体管，该晶体管具有一闸极及一源汲极区；　　　　于该半导体基底上形成一介电层，该介电层具有一第一接触窗，该第一接...
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