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一种动态随机存取存储器（ＤＲＡＭ）的制法，包括下列步骤：　　　　提供一基底，包含一数组（ａｒｒａｙ）区与一周边电路（ｐｅｒｉｐｈｅｒｙ）区；　　　　形成复数个闸极结构于该数组区与该周边电路区中；　　　　顺应性形成一阻障层于该基底与该闸极结构...
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