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一种具有部分垂直信道的存储单元的主动区自对准制程，包括下列步骤：　　　　提供一半导体基底，该半导体基底包含有二深沟槽；　　　　于每一深沟槽内形成一深沟槽电容，该深沟槽电容低于该半导体基底表面；　　　　于每一深沟槽电容表面上形成一隔绝层；　　...
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