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本发明是关于一种半导体组件、累积模式多重闸晶体管及其制造方法。本发明的半导体组件的结构包括：一累积模式（ａｃｃｕｍｕｌａｔｉｏｎ　ｍｏｄｅ）多重闸晶体管，其中上述累积模式多重闸晶体管包括：至少一半导体鳍部，位于一绝缘层上，其中该半导体鳍部分...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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