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一种插塞的形成方法，包括下列步骤：　　　　提供一半导体基底，于该半导体基底上形成一具有接触窗的介电层，该介电层上形成有一多晶硅层；　　　　提供一含氧化剂溶液；　　　　使该多晶硅层顶部表面接触该含氧化剂溶液以形成一化学氧化层；及　　　　于该化...
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