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本发明致力于用于调节电流的器件及其制造方法，该器件具有高介电常数的栅绝缘层，其源极和／或漏极和衬底形成肖特基接触或类肖特基区域。在一个实施例中，栅绝缘层具有大于硅的介电常数。在另一个实施例中，电流调节器件可以是ＭＯＳＦＥＴ器件，可任选的平面...
该专利属于斯平内克半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过斯平内克半导体股份有限公司授权不得商用。

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