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提供一种半导体装置及其制造方法。用旋转离子注入法将Ａｓ及Ｂ注入槽（３）的侧面中，通过利用扩散系数的不同，将被槽（３）夹在中间的ｎ↑［－］型外延Ｓｉ层变成由沿横向排列的ｎ型柱层（５）／ｐ型柱层（４）／ｎ型柱层（５）构成的、实际上具有与超结型结...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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