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提供了一种形成功率半导体器件的方法。该方法开始于提供第一导电类型的衬底，并接着在衬底上形成电压维持区。通过在衬底上沉积第一导电类型的外延层和在外延层中形成至少一个台阶式沟槽来形成电压维持区。台阶式沟槽具有多个宽度不同的部分，它们之间限定至少...
该专利属于通用半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过通用半导体公司授权不得商用。

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