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一种隔离具有部分垂直信道记忆单元的主动区的方法，包括下列步骤：　　　　提供一半导体基底，该半导体基底包含有二深沟槽，该等深沟槽内分别形成有一深沟槽电容，且该等深沟槽电容低于该半导体基底表面，使该等深沟槽间成为一突出柱状的主动区；　　　　对露...
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