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一种自对准接触窗形成方法，包括：　　　　在半导体衬底上至少一栅叠置结构；　　　　在该半导体衬底和该栅叠置结构上，形成第一介电层；　　　　在该第一介电层上形成第二介电层，该第二介电层相对于该第一介电层具有蚀刻选择性；　　　　蚀刻该第二介电层，...
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