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本发明提供了可实现具有制造容限优异的结构、耐湿性良好、没有变动、可靠性高的半导体装置。最下层的门配线与被埋置在层间绝缘膜下的夹层形状的铜配线相连接。在铜配线的外侧，屏蔽环的铜配线被埋置在层间绝缘膜下。在铜配线和层间绝缘膜上形成硅氮化膜。在硅...
该专利属于株式会社瑞萨科技所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社瑞萨科技授权不得商用。

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