温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

在依次层叠硅层１、化合物半导体层２、半导体层３的半导体衬底１００上设置元件分离结构１０ａ。元件分离结构１０ａ由沟４、半导体膜５、绝缘膜６、７构成。沟４贯通半导体层３并延伸到化合物半导体层２的内部。半导体膜５设于沟４的表面，绝缘膜６设在半导体...
该专利属于株式会社瑞萨科技所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社瑞萨科技授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。