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晶体管区域（ＴＲ）是配置了包含ＭＯＳ晶体管（Ｔ１０）的多个ＭＯＳ晶体管的区域，而伪区域（ＤＲ）是与螺旋形电感器（ＳＩ）下方相当的区域，在伪区域（ＤＲ）的ＳＯＩ衬底（ＳＢ）的主面内设有多个伪活性层（Ｄ１），还设有覆盖各伪活性层（Ｄ１）上的多个...
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