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本发明公开了具有应力施加层的非平面器件及制造方法。包括半导体主体的半导体器件被形成在绝缘衬底上，所述半导体主体具有顶表面和横向相对的侧壁。在半导体主体的顶表面上、在半导体主体的横向相对侧壁上形成栅极电介质层。在半导体主体顶表面上的栅极电介质...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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