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本发明公开了一种具有凸起的结区域的ＰＭＯＳ晶体管。由器件的结区域中的与衬底的表面处于非同面的关系的硅合金材料提供了ＰＭＯＳ晶体管沟道区域中的最优应变。选择硅合金材料、硅合金材料的尺寸以及硅合金材料与衬底表面的非同面的关系，使得硅合金材料的晶...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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