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一种形成一非挥发性存储单元的方法，包括于一基底表面上形成含有一电子捕捉层的一组成叠层。于组成叠层上形成一介电层，再去除部分以便沿组成叠层侧壁有介电层的剩余物的存在。之后，于邻近组成叠层的基底中的一位线上形成一氧化层，再于组成叠层及氧化层上形...
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