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本发明揭示一种形成于半导体基底上的去耦合电容装置。上述半导体基底包括一应变硅层；一实质上为平面的下电极形成于部分应变硅层中以及一电容介电层形成于下电极上；一实质上为平面的上电极形成于电容介电层之上；上述上电极连接至第一参考电压线，以及下电极...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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