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本发明是关于一种半导体元件及其制造方法，此半导体元件的结构包括：一栅极介电层，覆盖于一通道区上；一源极区及一汲极区，位于该通道区的对称侧，其中通道区包含有第一半导体材料而源极区及汲极区包含有第二半导体材料；一闸电极，覆盖于栅极介电层上；以及...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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