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具牺牲层的嵌入式非挥发性存储器的制造方法技术
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文档序号:3204911
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一种在一基板上制造一集成电路的方法,该集成电路包括一位于该基板上一数组区域的非挥发性存储器以及一位于该基板上一非数组区域的其它电路,所述制造方法包括: 在该基板的所述数组区域及非数组区域上形成一栅极介电层;在该基板的所述数组区域及非数...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。
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