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一种沟槽ＤＭＯＳ晶体管器件，其包括：（ａ）第一导电类型的衬底；（ｂ）衬底上的第一导电类型的外延层，其中，该外延层比衬底具有较低的多数载流子浓度；（ｃ）沟槽，其从外延层的上表面延伸到外延层中；（ｄ）绝缘层，其衬于沟槽的至少一部分里；（ｅ）邻近...
该专利属于通用半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过通用半导体公司授权不得商用。

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