温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种形成堆叠式非易失性存储器的方法，包括：　　　　提供一半导体衬底；　　　　形成一图案化含砷介电层于该半导体衬底上，其中该图案化含砷介电层定义一第一开口，且该第一开口曝露出该半导体衬底的一部分及该图案化含砷介电层的一侧壁；　　　　形成一介电...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。