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本发明公开了一种高介电常数薄膜的精确图案化的方法，用于解决传统图案化技术中的结构和工艺限制。在形成与高介电常数电介质层相邻的栅极结构之后，高介电常数电介质层的一部分优选地通过暴露给氢气而被还原，以形成高介电常数电介质层的被还原部分。可以使用...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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