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一种非挥发性内存及其制造方法，其中：一选择闸（１４０）形成于一半导体上。一介电层（８１０，１０１０，１０３０）形成于该选择闸上。一浮置闸层（１６０）形成于该选择闸上。自该选择闸的至少一部分上移除该浮置闸。一介电层（１５１０）形成于该浮置闸层...
该专利属于台湾茂矽电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾茂矽电子股份有限公司授权不得商用。

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