温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种为改善相邻记忆胞元干扰的ＯＮＯ闪存数组，其特征在于，包括：　　　　一基底，具有一第一及第二埋藏扩散区；　　　　一信道，在该第一及第二埋藏扩散区之间；　　　　一ＯＮＯ层，在该信道上方，供储存数据；　　　　一第一口袋，在该信道一侧，与该第一...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。