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一种多能态离子注入法制备磁性半导体材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：　　　　首先选择半导体材料为衬底；　　　　然后在衬底上采用多能态离子注入法直接制备磁性半导体材料，形成稀磁半导体材料。...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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