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一种半导体器件包括：栅介质膜，形成于半导体衬底上；栅极，包括：第一电极层，形成于栅介质膜上，介质膜，厚度为５＊或更大且为１００＊或更小，并形成于第一电极层上，以及第二电极层，形成于介质膜上；以及源和漏区，形成于栅极两侧的半导体衬底中。...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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