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一种沟槽ＭＯＳＦＥＴ晶体管器件及其制造方法。该器件包括：（ａ）第一导电类型的硅衬底；（ｂ）在衬底上的第一导电类型的硅外延层，外延层具有比衬底更低的多数载流子浓度；（ｃ）从外延层的上表面延伸到外延层中的沟槽；（ｄ）内衬至少部分沟槽的绝缘层；（...
该专利属于通用半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过通用半导体公司授权不得商用。

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