下载制造有高介电常数栅极电介质半导体器件的选择刻蚀工艺的技术资料

文档序号:3204517

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本发明描述了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底上形成高介电常数栅极介电层,以及改性所述高介电常数栅极介电层的第一部分,以保证可以相对于所述高介电常数栅极介电层的第二部分而选择性地去除所述第一部分。...
该专利属于英特尔公司所有,仅供学习研究参考,未经过英特尔公司授权不得商用。

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