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本发明的课题是，抑制ＳＲＡＭ单元的形成面积的增大并谋求工作的稳定。在ＳＲＡＭ单元的存取ＭＯＳ晶体管Ｑ５的栅电极３３上，形成与字线连接的接触４５。接触４５穿通元件隔离绝缘膜１４，抵达ＳＯＩ层１３。驱动ＭＯＳ晶体管Ｑ１的体区与第１存取ＭＯＳ晶体...
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